Prvi tranzistor baziran na jednom sloju MoS2, koji je realiziran u grupi prof. Kisa na EPFL-u.
U utorak 22. prosinca na Institutu za fiziku prof. Andras Kis sa švicarskog EPFL-a održat će znanstveni kolokvij “2D dichalcogenide electronic materials and devices”. Kolokvij Centra izvrsnosti za napredne materijale i senzore pripremljen je u zajedničkoj organizaciji Instituta za fiziku, Instituta Ruđer Bošković i Fizičkog odsjeka Prirodoslovno-matematičkog fakulteta.
Prof. Kis objavio je pionirske radove o svojstvima tranzistora baziranih na pojedinačnom sloju molibden disulfida (MoS2), a istraživanja u njegovoj Grupi za elektroniku i strukturu na nano-skali redovito predstavljaju vodeće doprinose u području nano-elektronike na slojevitim 2D materijalima, uz što su usko vezane mnogobrojne potencijalne primjene u elektronici, spintronici, optoelektronici, valleytronici, itd.
Kolokvij će se održati s početkom u 11:00 sati u predavaonici u zgradi Mladen Paić na Institutu za fiziku, Bijenička cesta 46. Sažetak kolokvija nalazi se poveznici.